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    聚能创芯亮相2020(冬季)USB PD&Type-C亚洲展

    • 分类:新闻及活动
    • 作者:耐威科技
    • 来源:耐威科技
    • 发布时间:2021-01-05 10:01
    • 访问量:

    【概要描述】?   近日,由充电头网主办的2020(冬季)USB PD&Type-C亚洲展在深圳市成功举办。作为第三代半导体功率器件供应商,青岛聚能创芯微电子有限公司(简称“聚能创芯”)及兄弟公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(简称“聚能晶源”)参展,展出了650 V系列GaN外延晶圆材料、GaN功率器件及相应的GaN快充应用方案,吸引了众多展会观众的关注。   在同期举办的“2020(冬季)USB PD & Type-C亚洲大会”上,聚能创芯总经理袁理以“面向快充应用的国产化GaN材料和器件技术解决方案”为题发表演讲,并在演讲中介绍了650V系列GaN外延晶圆材料、GaN功率器件及相应的GaN快充应用方案。   其中,聚能创芯650V氮化镓功率器件采用增强型器件技术,具有低寄生效应、高开关速度、高效率的特点。该系列产品导通电阻覆盖55-300mΩ、稳定输出电流9-24A、RdsonxQg为350mΩ/nC,可满足0-10kW的消费类快充、无线充电、智能家电、5G通讯、云计算等应用场景的需求。   基于上述650V系列氮化镓功率器件产品,聚能创芯开发了65-120W系列PD快充应用方案,以演示自有氮化镓功率器件在下一代快充应用中的技术优势。得益于聚能创芯氮化镓功率器件的低漏电、高效率、高开关速度的性能优势,聚能创芯氮化镓PD快充达到了输出效率大于94%,功率密度大于30W/inch3,有效解决了当下大功率快充发热大、尺寸不便携的痛点,成为各类便携式电子产品的优秀电源解决方案。   聚能创芯成立于2018年7月,主要从事第三代半导体氮化镓功率与微波器件的设计、开发。面向新一代功率与微波系统应用,聚能创芯致力于为目前需求旺盛的GaN快充领域提供高性能、高性价比的纯国产GaN器件与应用技术解决方案,为5G通讯、云计算、新型消费类电源、智能驾驶等提供核心元器件支持。

    聚能创芯亮相2020(冬季)USB PD&Type-C亚洲展

    【概要描述】?




      近日,由充电头网主办的2020(冬季)USB PD&Type-C亚洲展在深圳市成功举办。作为第三代半导体功率器件供应商,青岛聚能创芯微电子有限公司(简称“聚能创芯”)及兄弟公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(简称“聚能晶源”)参展,展出了650 V系列GaN外延晶圆材料、GaN功率器件及相应的GaN快充应用方案,吸引了众多展会观众的关注。



      在同期举办的“2020(冬季)USB PD & Type-C亚洲大会”上,聚能创芯总经理袁理以“面向快充应用的国产化GaN材料和器件技术解决方案”为题发表演讲,并在演讲中介绍了650V系列GaN外延晶圆材料、GaN功率器件及相应的GaN快充应用方案。





      其中,聚能创芯650V氮化镓功率器件采用增强型器件技术,具有低寄生效应、高开关速度、高效率的特点。该系列产品导通电阻覆盖55-300mΩ、稳定输出电流9-24A、RdsonxQg为350mΩ/nC,可满足0-10kW的消费类快充、无线充电、智能家电、5G通讯、云计算等应用场景的需求。



      基于上述650V系列氮化镓功率器件产品,聚能创芯开发了65-120W系列PD快充应用方案,以演示自有氮化镓功率器件在下一代快充应用中的技术优势。得益于聚能创芯氮化镓功率器件的低漏电、高效率、高开关速度的性能优势,聚能创芯氮化镓PD快充达到了输出效率大于94%,功率密度大于30W/inch3,有效解决了当下大功率快充发热大、尺寸不便携的痛点,成为各类便携式电子产品的优秀电源解决方案。



      聚能创芯成立于2018年7月,主要从事第三代半导体氮化镓功率与微波器件的设计、开发。面向新一代功率与微波系统应用,聚能创芯致力于为目前需求旺盛的GaN快充领域提供高性能、高性价比的纯国产GaN器件与应用技术解决方案,为5G通讯、云计算、新型消费类电源、智能驾驶等提供核心元器件支持。

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      近日,由充电头网主办的2020(冬季)USB PD&Type-C亚洲展在深圳市成功举办。作为第三代半导体功率器件供应商,青岛聚能创芯微电子有限公司(简称“聚能创芯”)及兄弟公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(简称“聚能晶源”)参展,展出了650 V系列GaN外延晶圆材料、GaN功率器件及相应的GaN快充应用方案,吸引了众多展会观众的关注。

      在同期举办的“2020(冬季)USB PD & Type-C亚洲大会”上,聚能创芯总经理袁理以“面向快充应用的国产化GaN材料和器件技术解决方案”为题发表演讲,并在演讲中介绍了650V系列GaN外延晶圆材料、GaN功率器件及相应的GaN快充应用方案。

      其中,聚能创芯650V氮化镓功率器件采用增强型器件技术,具有低寄生效应、高开关速度、高效率的特点。该系列产品导通电阻覆盖55-300mΩ、稳定输出电流9-24A、RdsonxQg为350mΩ/nC,可满足0-10kW的消费类快充、无线充电、智能家电、5G通讯、云计算等应用场景的需求。

      基于上述650V系列氮化镓功率器件产品,聚能创芯开发了65-120W系列PD快充应用方案,以演示自有氮化镓功率器件在下一代快充应用中的技术优势。得益于聚能创芯氮化镓功率器件的低漏电、高效率、高开关速度的性能优势,聚能创芯氮化镓PD快充达到了输出效率大于94%,功率密度大于30W/inch³,有效解决了当下大功率快充发热大、尺寸不便携的痛点,成为各类便携式电子产品的优秀电源解决方案。

      聚能创芯成立于2018年7月,主要从事第三代半导体氮化镓功率与微波器件的设计、开发。面向新一代功率与微波系统应用,聚能创芯致力于为目前需求旺盛的GaN快充领域提供高性能、高性价比的纯国产GaN器件与应用技术解决方案,为5G通讯、云计算、新型消费类电源、智能驾驶等提供核心元器件支持。

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